内存最高可扩充至16GB
因为Intel E7505芯片组采取处理器总线与内存总线同步化(1:1)的设计,因此,只有DDR266内存才适合在这个平台上使用。875芯片组拥有双内存控制器,理论上来说,它可以133 MHz的运作速度来达到每秒4.2 GB的效能。因为系统的安全扮演着更重要的角色,这也是Intel的内存整合 ECC(Error Checking and Correction内存实时修正)功能的原因。
升级:ECC功能需要每列额外多加一颗芯片
跟875芯片组一样, E7505同样可以管理八个单面列选择(一般通称单面模块)。注:一般内存模块大致分为单面模块(single page)或双面模块(double page)。以下表格介绍了在该平台上各种内存升级的搭配组合。
| 内存可扩充容量 | 模块 | 传统结构(没有ECC) |
| 1 GB | 2 | 4 Rows x 8 Chips x 256 MBit = 8,192 MBit |
| 2 GB | 4 | 8 Rows x 8 Chips x 256 MBit = 16,384 MBit |
| 4 GB | 4 | 8 Rows x 8 Chips x 512 MBit = 32,796 MBit |
| 8 GB | 4 | 8 Rows x 16 Chips x 512 MBit = 65,536 MBit |
| 16 GB | 4 | 8 Rows x 16 Chips x 1 GBit = 131,072 MBit |
可是如果买家想在一个既安全又可以切换ECC模式下使用的主机板,就必须要在每单一列内加入额外的芯片。而这颗芯片对于内存最大可以升级并没有影响,因为它只是引证以上的数字,对内存的升级是没有任何影响的。
| 没有ECC的最多芯片数目 | 有ECC的最大芯片数 |
| 8 | 9 |
| 16 | 18 |
Corsair内存,时序为CL 2.0-3-2-6
Mushkin的registered/ECC功能的内存,时序为CL 2.0-3-2
Legacy Electronics的registered及有ECC功能的内存,时序为CL2.5
Infineon(英飞凌)的DDR333 registered内存,附ECC功能,时序为2.5
这个是最极端的例子,16GB ECC系统内存可以含有144颗内存颗粒,因此,对内存控制器来说可说是负荷非常大。不过,其实这144个颗粒中的128颗是为了真正的存取之用,而其余的则是作管理之用。
Registered Vs Unbuffered内存
传统的内存都属于unbuffered版本的类型,最新的则是registered memory(之前被称为buffered内存)。如果内存控制器要管理愈多的颗粒,它的数据就会愈不明确。
厂商运用的小技俩:如果你在单面模块的一群内存颗粒面前,放一组小的管理芯片,每一个列选择就会让内存控制器以为内存只有一个芯片。当然,这个小把戏也可以改善数据的传输的品质跟安全性。不过,这个做法会影响到内存的运作速度,因为电子讯号会延迟,因此也影响到内存的运转速度。
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