联栅晶体管(GAT)是什么意思?

联栅晶体管(GAT)是什么意思?

 联栅晶体管是一种新型功率开关半导体器件，简称GAT。GAT是介于双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)之间的特种器件，兼有BJT和FET的双重优点，特别适合用作荧光灯电子镇流器中的功率开关。其主要特点为：(1)动态损耗小，开关速度快；(2)二次击穿耐压高，功率容量和安全工作区大；(3)具有负的温度系数，热稳定性好：(4)抗冲击能力和抗高频辐射能力强，保证电路工作频率的稳定。

     
    GAT的等效电路结构如图3所示。国外型号有：C2621、C2333等，2SG系列是国产代表性产品之一。目前有的厂家将两只GAT接成推拉方式封装在一起，组成模块，给使用带来方便。图2示出的是2DM模块的内部结构，2DM模块的型号及主要特性参数如表1所示。采用2DM模块作功率开关器件的16 w双D型电子节能灯电路如图3所示。除采用GAT作为功率开关晶体管取代BJT或VD—MOST外，就电路结构本身而言，并没有特别之处。

     GAT的特性比较接近双极性静电感应晶体管(BsIT)。使用这种器件时应注意以下几点：(1)GAT属于  电流驱动型，其激励电压幅度比一般BJT高，峰值驱动脉冲达3．5 V左右。因此，为选择最佳工作点，对脉冲变压器初、次级绕组匝数及基极限流电阻应调整到合适值，否则GAT将无法正常工作；(2)GAT的输入阻抗略高于BJT，但低于FET，当其工作于高频状态下时，可在输入回路并一只容量合适的小电容；(3)GAT开关速度非常快，使用中应注意设法避免或抑制寄生振荡。

联栅晶体管（Gate Associated Transistor:GAT）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。联栅晶体管GAT有独特的基区,它由FET和标准的双极晶体管组成. 和通常的晶体管相比,GAT 最卓著的特点是在正向和反向都有宽广的安全工作区(SOA)。SOA的改善是由于栅极的屏蔽效应,它抑制了基区的电流拥挤和集电区的雪崩效应. 联栅晶体管GAT具有高压和高速的工作特性.高频GAT的最大振荡频率可达400MHz,而集电极-发射极的击穿电压BVCEO则达240V.工作在30MHz的B类放大器输出功率可达52W,功率增益20.2dB以及效率为68%。

其它的报道表明,通过缩小栅区间隔和深度,可以在大电流密度的集电极区得到更高的电流增益和更高的开关速度.也可以采用多个发射极结构和提高基区和集电区的掺杂浓度来提高性能.优化这些参数,功率GAT的BVCEO电压可达630V,集电极电流可达50A,共发射极的电流增益为30,而上升时间则为0.1us。

联栅晶体管主要可用在节能灯的电子镇流器。