东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案图

SD/TF卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，具有体积小、数据传输速度快、可热插拔等特性，广泛应用于便携式装置中，如数码相机、手机、平板电脑、多媒体播放器、汽车电子、无人机等产品中。然而，由于SD/TF卡需要经常性热插拔、集成度非常高，比较脆弱，很容易受到ESD静电放电的威胁和破坏导致数据缺失。

为此，为了实现SD/TF卡数据高传输率并避免数据缺失的现象，SD/TF卡静电浪涌保护不容忽视。那么，关键问题了，如何设计SD/TF卡静电浪涌保护方案呢？如何选用TVS/ESD二极管为SD/TF卡静电保护护航呢？接下来，东沃电子技术针对SD/TF卡静电浪涌问题提出了解决方案。

东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案图

东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案说明

从方案图中可知，SD/TF卡静电浪涌保护选用集成多路并组合两个单路ESD静电二极管，具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低等特点。在SD/TF卡时钟信号线上，东沃电子技术推荐选用两颗ESD二极管DW05DTF-BL-S，工作电压5V、峰值脉冲电流4A、钳位电压低至5V、结电容低至0.9pF。SD/TF卡高速数据传输接口选用ESD二极管DW05-4R-S，工作电压5V、峰值脉冲电流15A、钳位电压20V、结电容低至0.75pF，保证数据传输的可靠性和稳定性。在不影响数据传输的前提下，方案满足IEC 61000-4-2 Level 4静电放电防护需求，让后端的电路能够得到全面有效的防护，且做到低成本。

东沃SD/TF卡静电浪涌保护专用TVS/ESD二极管参数

1）TVS/ESD二极管DW05DTF-BL-S参数

查阅东沃电子“ESD-DW05DTF-BL-S Datasheet”产品规格书可知：

2）TVS/ESD二极管DW05-4R-S参数

查阅东沃电子“ESD-DW05-4R-S Datasheet”产品规格书可知：

审核编辑：刘清