N阱CMOS工艺版图

1 下图为一个采用N阱CMOS工艺的版图。

（1）从版图中提取逻辑图。

（2）此版图中应用了哪几种类型的设计规则？

设计规则：最小宽度，最小间距，最小包围，最小延伸。

（3）画出虚线处的剖面图，并在图中标出场氧和栅氧的位置。

CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术，绝大部分集成电路都是用CMOS工艺制造的。

CMOS中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。