用电压控制频率的LC振荡电路

用电压控制频率的LC振荡电路
要改变ＬＣ振荡电路之振荡频率的方法时，可以改变线圈或者电容器的数值，若将此电容器以变容二极体取代的话，以电压值改变容量就可以使振荡频率产生变化。这样的结构称为ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）电路，由於采用容量变化量较大的变容二极体，所以能组成振荡频率变化量宽广之振荡电路。
●ＶＣＯ电路（１）

图２３－１之电路系柯尔必兹振荡电路，二个可变电容器以变容二极体取代之，变容二极体１ＳＶ１００（东芝）系ＡＭ调谐用之元件，容量变化范围由２０ＰＦ～４００ＰＦ，因此，容量的变化比为Ｃmax／Ｃmin＝２０，振荡频率的变化范围就可以制作得很宽广，但是变容二极体是半导体元件，所以在特性上会有些误差，故在使用之前要别特性相似之变容二极体。至於线圈则使用１０Ｋ
型之线圈基座，在一次侧绕６圈，二次侧绕二圈，在共振电路上接阻尼（Damping）电阻是要使振荡
频率变化时，输出电平的变化不要太大。此电路之变容二极体上的控制电压在０～１２Ｖ间变化时，振荡频率大约在１０ＭＨｚ～７０ＭＨｚ间变化，但是加於变容二极体上的控制电压降低时，振荡电平就会急骤的下降，因此，实用振荡范围在２０～７０ＭＨｚ左右。当ＯＵＴ端子接上４７０Ω之电阻时，於４０ＭＨｚ，振荡频率的电平大约有３００ｍＶ，电平的变动於２０～７０ＭＨｚ之间都在－６ｄＢ之范围内。

图２３－２是ＦＭ调谐器（Tuner）的本地振荡电路，此电路系柯尔必兹电路的变形电路，称为克拉普（ Clapp）电路，至於改变频率的元件则使用背向变容二极体（ PairDiode Varicap）１ＳＶ５５，系以直流电压控制容量。由於１ＳＶ５５之内部有两个特性相近的变容二极体背向接在一起，因此，即使於Ｑ值高的电路有足以使二极体导通的大振幅信号加於其上，因为任何一个二极体都是逆向的，所以并不会导通，振荡电路就不会有异常动作的顾虑。１ＳＶ５５之端子间容量变化由４０ＰＦ（ＶR ＝３Ｖ）至２.５ＰＦ（ＶR＝３０Ｖ），当０～９Ｖ的控制电压加於此电路上时，振荡频率的范围在６０～９０ＭＨｚ。