基于反型层电荷的模型
电子元件2026-03-09
01 BSIM5 BSIM5模型从基本的一维MOSFET物理学出发，推导出基本的电荷和通道电流方程，然后将其扩展到准二维和三维情况，包括短通道、窄通道、多晶硅耗尽和量子力学效应。
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