电工问答2026-03-04

绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上

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IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、

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电工问答2026-03-04

结型场效应晶体管是什么? 结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的

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MIS器件,MIS器件是什么意思 以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅

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电工问答2026-03-04

什么是MIS 金属－绝缘体－半导体（简写为 MIS）系统的三层结构如图1所示。如绝缘层采用氧化物,则称为金属-氧化物-半导体(简写为MOS)系统。硅片上生长一层薄氧化膜后再覆盖一层铝，就是 最常见的MOS结构。60年代以来

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什么是化合物半导体集成电路 是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各

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什么是多层氧化物MOS集成电路 所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集

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栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思 　多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度﹑改变电子管的性能等作用。

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阶跃恢复二极管的工作原理 阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt（转移时间）短,所以

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雪崩渡越时间二极管,雪崩渡越时间二极管是什么意思 雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这

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雪崩二极管工作原理是什么? 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不

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什么是肖特基势垒二极管 肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒

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变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理 变容二极管是根据普通二极管内部 \"PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。二极管的PN结具有结电容，当加反向电压时，阻挡

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什么是集总参数和分布参数 组成电路模型的元件，都是能反映实际电路中元件主要物理特征的理想元件，由于电路中实际元件在工作过程中和电磁现象有关，因此有三种最基本的理想电路元件：表示消耗电能的理想电阻元件R

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微波参量放大器,微波参量放大器是什么意思 参量放大器是利用时变电抗参量实现低噪声放大的放大电路。例如﹐在变容二极管的两端外加一个周期交变电压时﹐其电容参量将随时间作周期变化。若把这一时变电容接入信号回

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微波晶体管放大器,微波晶体管放大器是什么意思 微波晶体管放大器是工作在微波频率范围的晶体管放大器.它的一般性能请见”晶体管放大器”条目.由于工作频率高,微波晶体管放大器有其独特的特点和性能.

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